AMP17はポータブルプレーヤーのヘッドホンアンプ回路設計において、初めて窒化ガリウム技術を採用した新開発デバイスです。
一般的なMOS-FETやトランジスタと比べ、窒化ガリウムは2000cm?/Vsという高い電子移動度を有し、高周波数動作時において高い電子速度を叶えながらも、低導通損失性を実現しています。


●窒化ガリウムトランジスタ(GaNFET)採用、新開発回路。ポータブルデバイスの新たな時代を切り拓く
ハイエンドポータブルデバイスにおいて、iBassoは先進的であり業界をリードする技術開発を行っており、AMP17はポータブルプレーヤーのヘッドホンアンプ回路設計において、初めて窒化ガリウム技術を採用した新開発デバイスです。
窒化ガリウムトランジスタ(GaNFET)の総ミラー電荷（QGD）は、同等の導通抵抗を持つパワーMOS-FETよりもはるかに小さく、これにより、優れたスイッチング速度を実現できます。

●低オン抵抗、高効率動作性能。広大な音場と驚異的なダイナミックレンジ
窒化ガリウムトランジスタ(GaNFET)は、導通状態のオン抵抗が極めて低いことを特徴とし、電力損失が少ない高効率動作性能により、従来のMOS-FETと比較しても高い電流駆動力を実現可能にしています。
AMP17の低出力抵抗構造と組み合わせることで、高感度イヤホン・ヘッドホンを精密に駆動し、レイヤーが明瞭で臨場感の溢れるサウンドを実現しています。

●効果的なリップルノイズの抑制。夜空のような静けさを実現
窒化ガリウムトランジスタ(GaNFET)は、高速スイッチングにより、高い動作周波数に対応することができます。
従来のヘッドホンアンプ方式と比べ、窒化ガリウム部品を採用し最適化されたGaN回路は、インダクタンスを小規模化することに成功しています。

●迅速なレスポンスで超低歪み、リアルで鮮明なディテールが生き生きと響く
GaN（窒化ガリウム）スイッチのスイッチング速度は、従来のシリコンベースのMOS-FETに比べて数十倍速く、これによりAMP17完璧なまでのゼロクロス・スイッチングを実現しています。
ノイズレスで歪みのない出力信号波形は、理論値レベルの最良状態に匹敵し、サウンドはクリアでナチュラルになります。

●12V DC電源入力、±12V高電圧駆動アンプ。1900mW+1900mW@32Ωの高出力
アナログ回路の電圧が±8Vから±12Vに上昇することで有効になる「Super Gain Mode」では、AMPカードのフルポテンシャルを解放し、32Ω時で最大1900mW+1900mWの高出力を実現するだけでなく、完全なパワーセパレートにより卓越したノイズレスサウンドへと誘います。

●4.4mmPO＋4.4mm LO バランスディスクリート設計
AMP17は、4.4mmフォンアウト＋4.4mmラインアウトの2種の出力に対応しています。
ヘッドフォンやイヤホンの接続にはフォンアウトを使用し、外部アンプやAMP17をピュアなソースシグナルとして使用する際にはラインアウトを使用します。

【4.4mmバランスPO出力】
●THD+N：-116dB（無負荷時）、-110dB（600Ω負荷時）
●ダイナミックレンジ：120dB
●S/N比：122dB
●クロストーク：117dB
●周波数特性：10Hz-40kHz（±0.5dB）
●出力インピーダンス：1.1Ω
●最大出力：1030mW（バッテリー駆動）、1900mW（DC駆動）
【4.4mmバランスLO出力】
●THD+N：-116dB（無負荷時）
●ダイナミックレンジ：126dB
●S/N比：123dB
●クロストーク：97dB